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晶體管參數(shù)測試儀技術(shù)文章
JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀詳細介紹
※概述:
JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀，是一種**門用于各種電子元件參數(shù)測試的新型多功能測試裝置。該機采用大規(guī)模MCU設(shè)計,中文界面操作,大容量內(nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來料檢測。
※ 測量元件類型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應(yīng)管,P型MOS場效應(yīng)管N型結(jié)型場效應(yīng)管,正負三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準器431,整流二*管,整流橋堆，可控硅，穩(wěn)壓二*管.
※ 測量參數(shù):
■ 整流二*管,三端肖特基，整流橋堆:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
正向壓降(VF) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(VRR) | 0-1500V | 0-2.000MA |
■N型三*管:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
輸入正向壓降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍數(shù)(HEF) | 0-3000 | VCE:0-20V IC:0-2.000A |
飽和壓降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三*管:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
輸入正向壓降(VBE) | 0-2.000V | 0-2.000A |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000MA |
放大倍數(shù)(HEF) | 0-3000 | VCE:5.0V IB:100uA |
飽和壓降(Vsat) | 0-2.000V | IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS場效應(yīng)管:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
啟動電壓(VGS(th)) | 0-20.00V | 0-2.000mA |
耐壓(BVCEO) | 0-1500V | 0-2.000mA |
導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson) | 0.1Mr-200R | Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
單雙向可控硅:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
觸發(fā)電流(IGT) | 0-40.MA | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
觸發(fā)電壓(VGT) | 0-2.000V | VD=0-20V,ID=0-2.000A |
耐壓(VDRM VRRM) | 0-1500V | 0-2.000mA |
通態(tài)壓降(VTM) | 0-2.000V | IT:0-2.00A |
三端穩(wěn)壓IC:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
輸出電壓(Vo) | 0-20.00V | Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基準IC 431:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
輸出電壓(Vo) | 0-20.00V | IZ:0-200mA |
■ 穩(wěn)壓二*管:
參數(shù)項 | 測試參數(shù) | 測試條件設(shè)置 |
穩(wěn)壓值(VZ) | 0-20V | 0-100MA |
穩(wěn)壓值(VZ) | 20-200V | 0-2.000MA |
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公司地址：北京市通州區(qū)興貿(mào)三街18號院19號樓1單元803